Wintersemester: Vorlesung: 2 SWS, Seminar: 2 SWS
Abschlußleistung: Prüfungsklausur (180 min)
Zulassungsvoraussetzung:
Erfolgreiche Zwischenklausur Elektronik I
Teilnahme an der Lehrveranstaltung Elektronik II
1 Bipolartransistoren
3 Bipolartransistoren
3.1 Aufbau und Wirkungsweise
3.2 Physikalisches Ersatzschaltbild
3.3 Grundschaltungen des Transistors
2 Kennlinienfelder des Transistors
3.4 Betriebsbereiche des Transistors
3.5 Kennlinienfelder des Transistors
3.5.1 Eingangskennlinienfeld
3.5.2 Ausgangskennlinienfeld
3.5.3 4-Quadranten-Kennlinienfeld
3 Arbeitspunkteinstellungen
3.5.4 Arbeitspunkteinstellung mit Basisspannungsteiler
3.5.5 Arbeitspunkteinstellung mit Basisvorwiderstand
3.5.6 Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunktes
4 Gegenkopplung
3.6 Stabilisierung des Arbeitspunktes durch Gegenkopplung Prinzip der
3.6.1 Gegenkopplung
3.6.2 Gleichstromgegenkopplung
3.6.3 Prinzip der dynamischen Widerstandsänderung durch Gegenkopplung
5 Transistor-Verstärkerstufen
3.7 Transistor im Verstärkerbetrieb
3.7.1 Emitterschaltung
3.7.2 Emitterfolger (Kollektorschaltung)
6 H-Ersatzschaltbild
3.8 Vierpolgleichungen und H-Ersatzschaltbild des Transistors
3.8.1 Ermittlung der betrieblichen Stromverstärkung
3.8.2 Ermittlung der betrieblichen Spannungsverstärkung
3.8.3 Ermittlung des betrieblichen Eingangswiderstandes
3.8.4 Ermittlung des betrieblichen Ausgangswiderstandes
3.8.5 Vereinfachung des H-Ersatzschaltbildes
3.8.6 Emitterschaltung mit Wechselstromgegenkopplung
7 Differenzverstärker
3.9 Differenzverstärker
3.9.1 Aufbau, Wirkungsweise, Kennwerte
3.9.2 Differenzverstärkung, Gleichtaktverstärkung
8 Transistor als Schalter
3.10 Transistor als Schalter
3.10.1 Idealer und realer Schalter
3.10.2 Statische Schaltverhalten
3.10.3 Transistorschalter im Serienbetrieb
3.10.4 Transistorschalter im Parallelbetrieb
3.10.5 Transistorschalter mit negativer Basisvorspannung
3.10.6 Dynamischen Schaltverhalten des Transistors
9 Feldeffekttransistor
4 Feldeffekttransistoren
4.1 Aufbau und Wirkungsweise
4.1.1 Sperrschicht-Feldeffkttransistor (pn-FET)
4.1.2 Isolierschicht Feldeffekttransistor (IG-FET)
10 Kennlinienverhalten von Feldeffekttransistoren
4.2 Kennlinienverhalten von Sperrschicht-Feldeffekttransistoren
4.3 Kennlinienverhalten von IG- Feldeffekttransistoren
4.4 Arbeitspunkteinstellung mittels Gleichstromgegenkopplung
11 Anwendungen mit FET
4.5 FET als spannungsgesteuerter Widerstand
4.6 Konstantstromquelle mit FET
12 Kippschaltungen
5 Kippschaltungen
5.1 Schwingungsbedingung
5.2 Astabiler Multivibrator
5.3 Kippschaltungen mit Operationsverstärkern
13 Operationsverstärker
6 Operationsverstärker
6.1 Eigenschaften von Operationsverstärkern
6.1.1 Differenz- und Gleichtaktverstärkung
6.1.2 Statische Eigenschaften von Operationsverstärkern
14 Rückkopplung und Invertierende Grundschaltung
6.2 Rückgekoppelte Verstärker
6.2.1 Rückkopplungsarten
6.2.2 Serienspannungsgegenkopplung
6.2.3 Parallelspannungsgegenkopplung
6.3 Invertierender Verstärker
6.3.1 Grundschaltung
6.3.2 Einfluss und Kompensation der Offsetspannung
6.3.3 Kompensation der Ruheströme 15 Nichtinvertierende Grundschaltung und
Analoge Rechenschaltungen
6.4 Nichtinvertierender Verstärker
6.5 Analoge Rechenschaltungen
6.5.1 Addierverstärker
6.5.2 Subtrahierverstärker
6.5.3 Integierer
6.5.4 PI-Regler